For højfrekvente drivere og driverkort med beskyttelsesfunktioner skal brugere, der ønsker at teste den normale statiske (ingen netstrøm) udgangsbølgeform, bemærke følgende:
1. Hvis effekttransistoren (IGBT) eller MOSFET allerede er forbundet til kredsløbet, skal du anvende driverens strømforsyning og PWM-indgangssignal, og det tilsvarende udgangssignal skal være synligt ved udgangen ved hjælp af et oscilloskop.
2. Hvis effekttransistoren ikke er tilsluttet, og du kun tester outputtet, skal strømtransistorens kollektor- og emitter- (eller dræn- og source-) terminaler-kortsluttes. Hvis opsamleren eller afløbet efterlades flydende, vil driveren eller driverkortet fortolke effekttransistoren som kortsluttet- og aktivere dens interne beskyttelsesmekanisme. Den resulterende beskyttelsessignalbølgeform vil være fuldstændig forskellig fra input-PWM-signalet i både form og periode. Den primære udfordring i IGBT-applikationer er at levere omfattende beskyttelse mod overstrøm, kort- og overspænding. Overstrømsfejl tager generelt et stykke tid at få strømforsyningen til at overophede, så beskyttelsen af denne tilstand håndteres af hovedkontrolkortet. Overspænding opstår typisk, når IGBT slukker. Den store di/dt skaber en høj spænding over den parasitære induktans, hvilket kræver et snubberkredsløb for at fastspænde spændingen eller på passende måde reducere sluk-{10}}off-hastigheden. En kortslutningsfejl genererer øjeblikkeligt en meget høj strøm, som hurtigt kan beskadige IGBT. Overstrømsbeskyttelse på hovedkontrolkortet er ofte utilstrækkelig, hvilket kræver øjeblikkelig beskyttelse fra driverkredsløbet eller driveren.
